此时，三星电子和台积电计划开展3nm技术研发。据报道，在 IEEE 国际固态芯片会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的 MBCFET 3nm GAE 芯片的制造细节。
GAAFET（全环栅场效应晶体管）从结构上有两种类型，是目前FinFET的升级版本。三星表示，传统的GAAFET工艺使用三层纳米线来构建晶体管，并且栅极相对较薄。此外，三星的MBCFET芯片工艺使用纳米片来构建晶体管。此时，三星已经注册了MBCFET的商标。三星曾表示，这两种方法都可以达到3nm，但这取决于具体设计。
第一个 GAAFET 晶体管的想法早在 1988 年就被提出。该技术允许设计人员通过调整晶体管沟道的宽度来精确控制性能和功耗。更宽的材料有助于提高高功率下的性能；虽然更薄的材料可以降低功耗，但这会影响性能。
三星在 3 年展示了 2019GAE 工艺的原理。据该公司介绍，相比7LPP技术，3GAE可以实现30%的性能提升。功耗还降低了 50%，晶体管密度提高了 80%。
三星3年量产2022nm芯片：目标超越台积电
三星和台积电是仅有的两家能够使用5纳米工艺制造芯片的公司。不过，三星似乎被台积电黯然失色，但它正在奋力拼搏。据最近的报道称，三星电子正试图追赶台积电。这家韩国制造巨头计划在 3 年大规模生产 2022nm 芯片。
三星电子首席执行官朴在洪近日在一次活动中表示，该公司设定了3年量产2022纳米芯片的目标。首席执行官表示，公司已经与主要合作伙伴一起开发预设计工具。该公司目前已为其下一代芯片业务投资了116亿美元。这包括为外部消费者生产芯片。
此前，三星电子领导人李再云报道称，该公司计划使用最新的3纳米栅极（GAA）工艺技术，该技术正在开发中，用于生产最先进的芯片，并将其提供给世界各地的客户。
众所周知，该公司已经开始量产5nm芯片，并正在开发4nm工艺。三星电子目前在芯片代工行业排名第二。这仅次于台积电，截至去年，台积电以 52% 的市场份额占据领先地位。
对于台积电与三星电子的竞争，台积电创始人张忠谋认为，三星电子是一个非常强大的对手。这个时候台积电占据了上风，但是台积电和三星之间的战争肯定还没有结束。
