Утечка изображения раскрывает особенности Realme GT Neo 6 SE

Realme готовится к запуску своего нового смартфона, GT Neo 6 SE. Компания поделилась некоторыми ключевыми деталями о телефоне, в частности о его процессоре, указывая на то, что это будет устройство, ориентированное на производительность. Однако последняя новость на сегодня – утечка информации о телефоне. Новое попавшее в сеть изображение раскрывает дизайн Realme GT Neo 6 SE. Давайте посмотрим на утечку ниже, а затем на подтвержденную информацию об устройстве.Реалме ГТ Нео 6 SE

Об утечке смартфона сообщил ресурс Ithome. Пользователь Weibo поделился утечкой изображения, раскрывая дизайн задней панели смартфона. На изображении виден корпус задней камеры телефона, представляющий большой прямоугольный модуль с двумя круглыми вырезами для камер. Это подтверждает, что Realme GT Neo 6 SE будет иметь двойную заднюю камеру и утонченный дизайн.

Реалме ГТ Нео 6 SE

Относительно вероятности этой утечки, она высока, поскольку информатор Digital Chat Station недавно поделился эскизом устройства, которое соответствует сегодняшнему изображению, появившемуся в сети. Информатор также отметил, что устройство легкое и тонкое, что видно на утечке изображения.

Realme GT Neo 6 SE: что мы знаем на данный момент

Реалме ГТ Нео 6 SE

Недавно Realme подтвердила, что будущий телефон будет работать на базе процессора Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3. Это говорит о высокой производительности устройства. Как и предыдущие модели GT, GT Neo 6 SE, как ожидается, будет иметь быструю зарядку, возможно около 100 Вт. Хотя дата релиза пока неизвестна, учитывая циркулирующие в Интернете истоки, мы ожидаем, что смартфон скоро появится в Китае.

What's your Reaction?
Холодные
4
Холодные
Счастливый
4
Счастливый
Тряска
4
Тряска
Интересный
1
Интересный
Печальный
0
Печальный
гневный
0
гневный
Читайте Gizchina в Google News

Понравилась статья? Спасибо редакции!

Источник
Поделиться с друзьями
Оцените автора
( 5 оценок, среднее 2.8 з 5 )
GizChina.Com.Ua

Сообщить об ошибке

Текст, который будет выслан нашим редакторам: