Samsung Electronics и TSMC планируют разработать исследования и разработку технологий 3 нм. Согласно сообщениям, на Международной конференции твердотелых микросхем IEEE (ISSCC) инженеры Samsung поделились деталями производства будущего чипа MBCFET 3-нм GAE.
Транзисторы GAAFET (полевые транзисторы с полным затворным кольцом) бывают двух типов с точки зрения структуры, и они являются обновленной версией текущего FinFET. Samsung заявил, что традиционный процесс GAAFET использует три слоя нанопроволоки для построения транзисторов, а затвор относительно тонкий. Кроме того, процесс микросхемы Samsung MBCFET использует нанолист для построения транзисторов. К настоящему времени Samsung уже зарегистрировала товарный знак для MBCFET. Samsung заявил, что оба способа могут достигнуть 3 нм, но это зависит от конкретной конструкции.
Идея первого транзистора GAAFET была предложена в 1988 году. Эта технология позволяет дизайнерам точно контролировать производительность и потребление энергии, регулируя ширину транзисторного канала. Более широкие материалы способствуют увеличению производительности при большой мощности; в то время как более тонкие материалы могут уменьшить потребление энергии, но это влияет на производительность.
Samsung продемонстрировал принципы процесса 3GAE в 2019 году. По данным компании, по сравнению с технологией 7LPP, 3GAE может достигнуть 30% улучшения производительности. Также достигается понижение мощности на 50% и увеличение плотности транзисторов на 80%.
Samsung выпустит серийно чипы 3 нм в 2022 году: стремится перегнать TSMC
Samsung и TSMC – единственные две компании, которые способны производить чипы с помощью 5-нм процесса. Однако Samsung, похоже, находится в тени TSMC, но он ведет хорошую борьбу. Согласно последним сообщениям, Samsung Electronics пытается догнать TSMC. Южнокорейский производственный гигант планирует серийно производить 3-нм чипы в 2022 году.
Исполнительный директор Samsung Electronics Пак Чже Хон заявил недавно на мероприятии, что компания поставила целью массовое производство 3-нанометровых чипов в 2022 году. Исполнительный директор заявил, что компания уже разрабатывает инструменты предварительного проектирования с основными партнерами. В настоящее время компания инвестировала 116 миллиардов долларов в свой бизнес по производству чипов следующего поколения. Сюда входит производство чипов для внешних потребителей.
Ранее лидер Samsung Electronics Ли Зайюн сообщал, что компания планирует использовать новейшую технологию технологического процесса 3-нанометрового затвора (GAA), разрабатываемую для производства самых современных микросхем и предоставления их клиентам по всему миру.
Как мы все знаем, компания приступила к массовому производству 5-нм чипов и разрабатывает 4-нм процесс. В области литейного производства микросхем Samsung Electronics сейчас занимает второе место. Это второе место после TSMC, которое занимает ведущую позицию с 52% долей рынка по состоянию на прошлый год.
Относительно конкуренции между TSMC и Samsung Electronics, основатель TSMC Чжан Чжунмоу считает, что Samsung Electronics является очень мощным противником. В настоящее время TSMC имеет преимущество, но война между TSMC и Samsung точно не закончилась.
