În acest moment, Samsung Electronics și TSMC plănuiesc să dezvolte cercetarea și dezvoltarea tehnologiei 3nm. Potrivit rapoartelor, la Conferința Internațională a Cipului Solid State (ISSCC) IEEE, inginerii Samsung au împărtășit detaliile de producție ale viitorului cip MBCFET 3nm GAE.
GAAFET-urile (tranzistori cu efect de câmp cu poartă inel complet) vin în două tipuri în ceea ce privește structura și sunt o versiune îmbunătățită a actualului FinFET. Samsung a spus că procesul tradițional GAAFET utilizează trei straturi de nanofire pentru a construi tranzistoarele, iar poarta este relativ subțire. În plus, procesul de cip MBCFET al Samsung utilizează nanofoi pentru a construi tranzistori. În acest moment, Samsung a înregistrat deja o marcă comercială pentru MBCFET. Samsung a spus că ambele metode pot ajunge la 3nm, dar depinde de designul specific.
Ideea primului tranzistor GAAFET a fost propusă în 1988. Această tehnologie permite proiectanților să controleze cu precizie performanța și consumul de energie prin ajustarea lățimii canalului tranzistorului. Materialele mai late contribuie la creșterea performanței la putere mare; în timp ce materialele mai subțiri pot reduce consumul de energie, dar acest lucru afectează performanța.
Samsung a demonstrat principiile procesului 3GAE în 2019. Potrivit companiei, în comparație cu tehnologia 7LPP, 3GAE poate obține o îmbunătățire cu 30% a performanței. Se realizează, de asemenea, o reducere de 50% a puterii și o creștere cu 80% a densității tranzistorului.
Samsung va produce în masă cipuri de 3 nm în 2022: își propune să depășească TSMC
Samsung și TSMC sunt singurele două companii capabile să producă cipuri folosind procesul de 5 nm. Cu toate acestea, Samsung pare a fi umbrit de TSMC, dar dă o luptă bună. Conform rapoartelor recente, Samsung Electronics încearcă să ajungă din urmă cu TSMC. Gigantul de producție sud-coreean intenționează să producă în masă cipuri de 3 nm în 2022.
CEO-ul Samsung Electronics, Park Jae-hon, a declarat la un eveniment recent că compania și-a stabilit un obiectiv de producție în masă a cipurilor de 3 nanometri în 2022. CEO-ul a declarat că compania dezvoltă deja instrumente de pre-proiectare cu parteneri cheie. Compania a investit în prezent 116 miliarde de dolari în afacerea sa de cipuri de nouă generație. Aceasta include producția de cipuri pentru consumatorii externi.
Anterior, liderul Samsung Electronics, Li Zayun, a raportat că compania intenționează să folosească cea mai recentă tehnologie de proces de poartă de 3 nanometri (GAA), care este dezvoltată pentru a produce cipuri de ultimă generație și a le oferi clienților din întreaga lume.
După cum știm cu toții, compania a început producția de masă de cipuri de 5 nm și dezvoltă un proces de 4 nm. Samsung Electronics este în prezent a doua cea mai mare industrie de turnătorie de cipuri. Acesta este al doilea după TSMC, care deține poziția de lider cu o cotă de piață de 52% începând cu anul trecut.
În ceea ce privește competiția dintre TSMC și Samsung Electronics, fondatorul TSMC Zhang Zhongmou consideră că Samsung Electronics este un adversar foarte puternic. În acest moment, TSMC are avantajul, dar războiul dintre TSMC și Samsung cu siguranță nu s-a încheiat.
