W tej chwili Samsung Electronics i TSMC planują rozwój badań i rozwoju technologii 3 nm. Według doniesień podczas międzynarodowej konferencji IEEE dotyczącej chipów półprzewodnikowych (ISSCC) inżynierowie firmy Samsung podzielili się szczegółami produkcyjnymi nadchodzącego chipa MBCFET 3 nm GAE.
Tranzystory GAAFET (tranzystory polowe z bramką pełnego pierścienia) występują w dwóch typach pod względem struktury i stanowią ulepszoną wersję obecnego FinFET. Samsung twierdzi, że w tradycyjnym procesie GAAFET do budowy tranzystorów wykorzystywane są trzy warstwy nanodrutów, a bramka jest stosunkowo cienka. Ponadto w procesie chipów MBCFET firmy Samsung do budowy tranzystorów wykorzystywane są nanoarkusze. W tej chwili firma Samsung zarejestrowała już znak towarowy MBCFET. Samsung powiedział, że obie metody mogą osiągnąć 3 nm, ale zależy to od konkretnego projektu.
Pomysł pierwszego tranzystora GAAFET został zaproponowany już w 1988 roku. Technologia ta pozwala projektantom precyzyjnie kontrolować wydajność i pobór mocy poprzez regulację szerokości kanału tranzystora. Szersze materiały przyczyniają się do zwiększonej wydajności przy dużej mocy; podczas gdy cieńsze materiały mogą zmniejszyć zużycie energii, ale ma to wpływ na wydajność.
Samsung zademonstrował zasady procesu 3GAE w 2019 roku. Według firmy, w porównaniu do technologii 7LPP, 3GAE może osiągnąć 30% poprawę wydajności. Osiągnięto również 50% redukcję mocy i 80% wzrost gęstości tranzystorów.
Samsung wprowadzi masową produkcję chipów 3 nm w 2022 r.: zamierza wyprzedzić TSMC
Samsung i TSMC to jedyne dwie firmy, które potrafią produkować chipy w procesie 5 nm. Wydaje się jednak, że Samsung jest w cieniu TSMC, ale stawia dobrą walkę. Według ostatnich doniesień Samsung Electronics próbuje dogonić TSMC. Południowokoreański gigant produkcyjny planuje masową produkcję chipów w procesie technologicznym 3 nm w 2022 roku.
Dyrektor generalny Samsung Electronics, Park Jae-hon, powiedział podczas niedawnego wydarzenia, że firma postawiła sobie za cel masową produkcję 3-nanometrowych chipów w 2022 roku. Prezes stwierdził, że firma opracowuje już narzędzia przedprojektowe z kluczowymi partnerami. Firma zainwestowała obecnie 116 miliardów dolarów w działalność związaną z chipami nowej generacji. Obejmuje to produkcję chipów dla odbiorców zewnętrznych.
Wcześniej lider Samsung Electronics Li Zayun poinformował, że firma planuje zastosować najnowszą technologię procesową z bramką 3 nanometrów (GAA), która jest opracowywana w celu produkcji najnowocześniejszych chipów i dostarczania ich klientom na całym świecie.
Jak wszyscy wiemy, firma rozpoczęła masową produkcję chipów 5 nm i pracuje nad procesem 4 nm. Samsung Electronics zajmuje obecnie drugie miejsce w branży odlewania chipów. To drugie miejsce po TSMC, które od ubiegłego roku zajmuje wiodącą pozycję z 52% udziałem w rynku.
Jeśli chodzi o konkurencję pomiędzy TSMC a Samsung Electronics, założyciel TSMC Zhang Zhongmou uważa, że Samsung Electronics jest bardzo potężnym przeciwnikiem. W tej chwili TSMC ma przewagę, ale wojna pomiędzy TSMC a Samsungiem zdecydowanie się nie skończyła.
