Қазіргі уақытта Samsung Electronics және TSMC 3 нм технологиясын зерттеу мен әзірлеуді дамытуды жоспарлап отыр. Есептерге сәйкес, IEEE халықаралық қатты күйдегі чиптер конференциясында (ISSCC) Samsung инженерлері алдағы MBCFET 3nm GAE чипінің өндірістік мәліметтерімен бөлісті.
GAAFET (толық сақиналы өріс әсерлі транзисторлар) құрылымы жағынан екі түрлі болады және қазіргі FinFET-тің жаңартылған нұсқасы болып табылады. Samsung дәстүрлі GAAFET процесі транзисторларды құру үшін нано сымдардың үш қабатын пайдаланады және қақпа салыстырмалы түрде жұқа екенін айтты. Сонымен қатар, Samsung компаниясының MBCFET чип процесі транзисторларды құру үшін нанопарақтарды пайдаланады. Қазіргі уақытта Samsung MBCFET сауда белгісін тіркеді. Samsung екі әдіс 3 нм жетуі мүмкін екенін айтты, бірақ бұл нақты дизайнға байланысты.
Бірінші GAAFET транзисторының идеясы 1988 жылы ұсынылды. Бұл технология дизайнерлерге транзисторлық арнаның енін реттеу арқылы өнімділік пен қуат тұтынуды дәл бақылауға мүмкіндік береді. Кеңірек материалдар жоғары қуатта өнімділікті арттыруға ықпал етеді; ал жұқа материалдар қуат тұтынуды азайта алады, бірақ бұл өнімділікке әсер етеді.
Samsung 3 жылы 2019GAE процесінің принциптерін көрсетті. Компанияның айтуынша, 7LPP технологиясымен салыстырғанда 3GAE өнімділікті 30% жақсартуға қол жеткізе алады. Ол сондай-ақ қуаттың 50%-ға төмендеуіне және транзистордың тығыздығының 80%-ға артуына қол жеткізеді.
Samsung 3 жылы 2022 нм чиптерді жаппай шығарады: TSMC-ті басып озуды мақсат етеді
Samsung және TSMC - 5 нм процесін қолдана отырып, чиптерді жасай алатын жалғыз екі компания. Дегенмен, Samsung TSMC-тің көлеңкесінде қалған сияқты, бірақ ол жақсы күресуде. Соңғы мәліметтерге сәйкес, Samsung Electronics TSMC-ті қуып жетуге тырысады. Оңтүстік Кореяның өндірістік алыбы 3 жылы 2022 нм чиптерді жаппай шығаруды жоспарлап отыр.
Samsung Electronics бас директоры Пак Джэ Хон жақында өткен іс-шарада компания 3 жылы 2022 нанометрлік чиптерді жаппай өндіруді мақсат етіп қойғанын айтты. Бас директор компания қазірдің өзінде негізгі серіктестермен жобалауға дейінгі құралдарды әзірлеп жатқанын айтты. Қазіргі уақытта компания келесі буын чип бизнесіне 116 миллиард доллар инвестициялады. Бұған сыртқы тұтынушылар үшін чиптер өндірісі кіреді.
Бұған дейін Samsung Electronics көшбасшысы Ли Заюн компания соңғы үлгідегі чиптерді шығару және оларды бүкіл әлем бойынша тұтынушыларға ұсыну үшін әзірленіп жатқан 3 нанометрлік қақпа (GAA) технологиялық технологиясын қолдануды жоспарлап отырғанын хабарлады.
Барлығымыз білетіндей, компания 5 нм чиптерді жаппай өндіруді бастады және 4 нм процесін дамытуда. Samsung Electronics қазіргі уақытта екінші ірі чип құю өнеркәсібі болып табылады. Бұл өткен жылғы жағдай бойынша нарықтың 52% үлесімен жетекші орынға ие TSMC-тен кейінгі екінші орында.
TSMC мен Samsung Electronics арасындағы бәсекелестікке қатысты TSMC негізін қалаушы Чжан Чжунмоу Samsung Electronics өте күшті қарсылас деп санайды. Қазіргі уақытта TSMC басымдыққа ие, бірақ TSMC мен Samsung арасындағы соғыс әлі аяқталған жоқ.
