In questo momento, Samsung Electronics e TSMC intendono sviluppare la ricerca e lo sviluppo della tecnologia a 3 nm. Secondo quanto riferito, alla IEEE International Solid State Chip Conference (ISSCC), gli ingegneri Samsung hanno condiviso i dettagli di produzione del prossimo chip MBCFET GAE da 3 nm.
I GAAFET (transistor a effetto di campo con gate ad anello completo) sono disponibili in due tipi in termini di struttura e sono una versione aggiornata dell'attuale FinFET. Samsung ha affermato che il tradizionale processo GAAFET utilizza tre strati di nanofili per costruire i transistor e il gate è relativamente sottile. Inoltre, il processo del chip MBCFET di Samsung utilizza nanofogli per costruire transistor. In questo momento, Samsung ha già registrato un marchio per MBCFET. Samsung ha affermato che entrambi i metodi possono raggiungere i 3 nm, ma dipende dal design specifico.
L'idea del primo transistor GAAFET è stata proposta nel 1988. Questa tecnologia consente ai progettisti di controllare con precisione le prestazioni e il consumo energetico regolando la larghezza del canale del transistor. I materiali più larghi contribuiscono ad aumentare le prestazioni ad alta potenza; mentre i materiali più sottili possono ridurre il consumo energetico, ma ciò influisce sulle prestazioni.
Samsung ha dimostrato i principi del processo 3GAE nel 2019. Secondo l'azienda, rispetto alla tecnologia 7LPP, 3GAE può ottenere un miglioramento delle prestazioni del 30%. Si ottengono inoltre una riduzione del 50% della potenza e un aumento dell'80% della densità dei transistor.
Samsung produrrà in serie chip da 3 nm nel 2022: punta a superare TSMC
Samsung e TSMC sono le uniche due aziende in grado di produrre chip utilizzando il processo a 5 nm. Tuttavia, Samsung sembra essere messa in ombra da TSMC, ma sta combattendo bene. Secondo recenti rapporti, Samsung Electronics sta cercando di mettersi al passo con TSMC. Il colosso manifatturiero sudcoreano prevede di produrre in serie chip da 3 nm nel 2022.
Il CEO di Samsung Electronics, Park Jae-hon, ha dichiarato recentemente in un evento che la società ha fissato un obiettivo di produzione di massa di chip da 3 nanometri nel 2022. Il CEO ha dichiarato che l'azienda sta già sviluppando strumenti di pre-progettazione con partner chiave. La società ha attualmente investito 116 miliardi di dollari nel business dei chip di prossima generazione. Ciò include la produzione di chip per consumatori esterni.
In precedenza, il leader di Samsung Electronics Li Zayun ha riferito che la società prevede di utilizzare la più recente tecnologia di processo GAA (gate a 3 nanometri), che è in fase di sviluppo per produrre chip all'avanguardia e fornirli ai clienti di tutto il mondo.
Come tutti sappiamo, l'azienda ha avviato la produzione in serie di chip da 5 nm e sta sviluppando un processo da 4 nm. Samsung Electronics è attualmente al secondo posto nel settore della fonderia di chip. Questo è secondo solo a TSMC, che detiene la posizione di leader con una quota di mercato del 52% rispetto allo scorso anno.
Per quanto riguarda la concorrenza tra TSMC e Samsung Electronics, il fondatore di TSMC Zhang Zhongmou ritiene che Samsung Electronics sia un avversario molto potente. In questo momento TSMC ha il sopravvento, ma la guerra tra TSMC e Samsung non è sicuramente finita.
