Αυτή τη στιγμή, η Samsung Electronics και η TSMC σχεδιάζουν να αναπτύξουν έρευνα και ανάπτυξη τεχνολογίας 3nm. Σύμφωνα με αναφορές, στο διεθνές συνέδριο IEEE Solid State Chip Conference (ISSCC), οι μηχανικοί της Samsung μοιράστηκαν τις λεπτομέρειες κατασκευής του επερχόμενου τσιπ MBCFET 3nm GAE.
Τα GAAFET (τρανζίστορ εφέ πεδίου πύλης πλήρους δακτυλίου) διατίθενται σε δύο τύπους όσον αφορά τη δομή και αποτελούν μια αναβαθμισμένη έκδοση του τρέχοντος FinFET. Η Samsung είπε ότι η παραδοσιακή διαδικασία GAAFET χρησιμοποιεί τρία στρώματα νανοσυρμάτων για την κατασκευή των τρανζίστορ και η πύλη είναι σχετικά λεπτή. Επιπλέον, η διαδικασία τσιπ MBCFET της Samsung χρησιμοποιεί νανοφύλλα για την κατασκευή τρανζίστορ. Αυτή τη στιγμή, η Samsung έχει ήδη καταχωρίσει εμπορικό σήμα για το MBCFET. Η Samsung έχει πει ότι και οι δύο μέθοδοι μπορούν να φτάσουν τα 3nm, αλλά εξαρτάται από τη συγκεκριμένη σχεδίαση.
Η ιδέα του πρώτου τρανζίστορ GAAFET προτάθηκε το 1988. Αυτή η τεχνολογία επιτρέπει στους σχεδιαστές να ελέγχουν με ακρίβεια την απόδοση και την κατανάλωση ενέργειας ρυθμίζοντας το πλάτος του καναλιού του τρανζίστορ. Τα ευρύτερα υλικά συμβάλλουν στην αύξηση της απόδοσης σε υψηλή ισχύ. ενώ τα πιο λεπτά υλικά μπορούν να μειώσουν την κατανάλωση ενέργειας, αλλά αυτό επηρεάζει την απόδοση.
Η Samsung επέδειξε τις αρχές της διαδικασίας 3GAE το 2019. Σύμφωνα με την εταιρεία, σε σύγκριση με την τεχνολογία 7LPP, το 3GAE μπορεί να επιτύχει 30% βελτίωση στην απόδοση. Επιτυγχάνεται επίσης μείωση της ισχύος κατά 50% και αύξηση της πυκνότητας τρανζίστορ κατά 80%.
Η Samsung θα παράγει μαζικά τσιπ 3nm το 2022: στοχεύει να ξεπεράσει την TSMC
Η Samsung και η TSMC είναι οι μόνες δύο εταιρείες που μπορούν να παράγουν τσιπ χρησιμοποιώντας τη διαδικασία των 5nm. Ωστόσο, η Samsung φαίνεται να επισκιάζεται από την TSMC, αλλά δίνει μια καλή μάχη. Σύμφωνα με πρόσφατες αναφορές, η Samsung Electronics προσπαθεί να καλύψει τη διαφορά με την TSMC. Ο νοτιοκορεάτης κατασκευαστικός γίγαντας σχεδιάζει να παράγει μαζικά τσιπ 3nm το 2022.
Ο Διευθύνων Σύμβουλος της Samsung Electronics Park Jae-hon δήλωσε σε μια εκδήλωση πρόσφατα ότι η εταιρεία έχει θέσει ως στόχο τη μαζική παραγωγή τσιπ 3 νανομέτρων το 2022. Ο Διευθύνων Σύμβουλος δήλωσε ότι η εταιρεία αναπτύσσει ήδη εργαλεία προσχεδιασμού με βασικούς συνεργάτες. Η εταιρεία έχει επενδύσει επί του παρόντος 116 δισεκατομμύρια δολάρια στην επιχείρηση τσιπ επόμενης γενιάς. Αυτό περιλαμβάνει την παραγωγή τσιπ για εξωτερικούς καταναλωτές.
Νωρίτερα, ο ηγέτης της Samsung Electronics Li Zayun ανέφερε ότι η εταιρεία σχεδιάζει να χρησιμοποιήσει την πιο πρόσφατη τεχνολογία διεργασίας πύλης 3 νανομέτρων (GAA), η οποία αναπτύσσεται για την παραγωγή τσιπ αιχμής και την παροχή τους σε πελάτες σε όλο τον κόσμο.
Όπως όλοι γνωρίζουμε, η εταιρεία έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή τσιπ 5nm και αναπτύσσει μια διαδικασία 4nm. Η Samsung Electronics κατέχει αυτή τη στιγμή τη δεύτερη θέση στη βιομηχανία χυτηρίου τσιπ. Αυτό είναι το δεύτερο μόνο μετά την TSMC, η οποία κατέχει την ηγετική θέση με μερίδιο αγοράς 52% από πέρυσι.
Όσον αφορά τον ανταγωνισμό μεταξύ TSMC και Samsung Electronics, ο ιδρυτής της TSMC Zhang Zhongmou πιστεύει ότι η Samsung Electronics είναι ένας πολύ ισχυρός αντίπαλος. Αυτή τη στιγμή, η TSMC έχει το πάνω χέρι, αλλά ο πόλεμος μεταξύ TSMC και Samsung σίγουρα δεν έχει τελειώσει.
