Derzeit planen Samsung Electronics und TSMC, die Forschung und Entwicklung im Bereich der 3-nm-Technologie voranzutreiben. Berichten zufolge teilten Samsung-Ingenieure auf der IEEE International Solid State Chip Conference (ISSCC) die Herstellungsdetails des kommenden MBCFET 3-nm-GAE-Chips mit.
GAAFETs (Full-Ring-Gate-Feldeffekttransistoren) gibt es hinsichtlich ihrer Struktur in zwei Arten und sind eine verbesserte Version des aktuellen FinFET. Samsung sagte, dass der traditionelle GAAFET-Prozess drei Schichten Nanodrähte zum Aufbau der Transistoren verwendet und das Gate relativ dünn ist. Darüber hinaus nutzt Samsungs MBCFET-Chipprozess Nanoblätter zum Aufbau von Transistoren. Zu diesem Zeitpunkt hat Samsung bereits eine Marke für MBCFET registriert. Samsung hat gesagt, dass beide Methoden 3 nm erreichen können, aber das hängt vom jeweiligen Design ab.
Die Idee des ersten GAAFET-Transistors wurde bereits 1988 vorgeschlagen. Mit dieser Technologie können Entwickler Leistung und Stromverbrauch präzise steuern, indem sie die Breite des Transistorkanals anpassen. Breitere Materialien tragen zu einer höheren Leistung bei hoher Leistung bei; Während dünnere Materialien den Stromverbrauch senken können, beeinträchtigt dies jedoch die Leistung.
Samsung hat 3 die Prinzipien des 2019GAE-Prozesses demonstriert. Nach Angaben des Unternehmens kann mit 7GAE im Vergleich zur 3LPP-Technologie eine Leistungssteigerung von 30 % erreicht werden. Außerdem wird eine Leistungsreduzierung um 50 % und eine Erhöhung der Transistordichte um 80 % erreicht.
Samsung will 3 2022-nm-Chips in Serie produzieren: Ziel ist es, TSMC zu überholen
Samsung und TSMC sind die einzigen beiden Unternehmen, die Chips im 5-nm-Verfahren herstellen können. Allerdings scheint Samsung im Schatten von TSMC zu stehen, schlägt sich aber gut. Jüngsten Berichten zufolge versucht Samsung Electronics, mit TSMC gleichzuziehen. Der südkoreanische Fertigungsriese plant, im Jahr 3 2022-nm-Chips in Massenproduktion herzustellen.
Park Jae-hon, CEO von Samsung Electronics, sagte kürzlich auf einer Veranstaltung, dass sich das Unternehmen die Massenproduktion von 3-Nanometer-Chips im Jahr 2022 zum Ziel gesetzt habe. Der CEO erklärte, dass das Unternehmen bereits mit wichtigen Partnern Pre-Design-Tools entwickelt. Das Unternehmen hat derzeit 116 Milliarden US-Dollar in sein Chipgeschäft der nächsten Generation investiert. Dazu gehört auch die Produktion von Chips für externe Verbraucher.
Zuvor berichtete der Leiter von Samsung Electronics, Li Zayun, dass das Unternehmen plant, die neueste 3-Nanometer-Gate-Prozesstechnologie (GAA) zu nutzen, die entwickelt wird, um hochmoderne Chips herzustellen und diese an Kunden auf der ganzen Welt auszuliefern.
Wie wir alle wissen, hat das Unternehmen mit der Massenproduktion von 5-nm-Chips begonnen und entwickelt einen 4-nm-Prozess. Samsung Electronics belegt derzeit den zweiten Platz in der Chip-Foundry-Branche. Dies liegt nur an zweiter Stelle hinter TSMC, das mit einem Marktanteil von 52 % im letzten Jahr die führende Position innehat.
Was den Wettbewerb zwischen TSMC und Samsung Electronics betrifft, glaubt TSMC-Gründer Zhang Zhongmou, dass Samsung Electronics ein sehr mächtiger Gegner ist. Derzeit hat TSMC die Oberhand, aber der Krieg zwischen TSMC und Samsung ist definitiv noch nicht vorbei.
