Компанія Samsung Electronics оголосила про випуск свого найбільшого продукту — 32 Гб оперативної пам’яті DDR5 DRAM класу 12 нм. Цей продукт пропонує вдвічі більшу місткість, ніж 16-гігабайтні модулі в тому ж розмірі корпусу. Це дозволяє виробляти модулі DRAM об’ємом 128 ГБ без використання TSV-процесу. Це також спрощує виробничий процес і знижує витрати. Нова пам’ять DRAM ідеально підходить для ери штучного інтелекту, коли високопродуктивні обчислення та обробка даних є надзвичайно важливими.
Найсучасніша оперативна пам’ять DDR5 класу 12 нм
У травні компанія Samsung Electronics розпочала масове виробництво оперативної пам’яті DDR5 з подвійною швидкістю передачі даних (DDR5), виготовленої за технологічними нормами 12-нанометрового (нм) класу. Оперативна пам’ять DDR5 об’ємом 16 Гб була розроблена в грудні минулого року і пройшла перевірку на сумісність з AMD. Оперативна пам’ять DDR5 об’ємом 32 Гб є найсучаснішою з усіх наявних на сьогодні. Вона має максимальну швидкість 7,2 Гбіт/с, що означає, що вона може обробляти 60 ГБ даних приблизно за секунду.
Санг Джун Хван (Sang Joon Hwang), виконавчий віцепрезидент групи розробки пам’яті підрозділу пам’яті Samsung Electronics, сказав: “На основі новітньої 12-нанометрової пам’яті Samsung об’ємом 32 Гб Samsung може розробляти рішення для створення модулів пам’яті об’ємом 1 ТБ”. Він стверджує, що це допоможе задовольнити потреби ШІ в епоху великих даних. У цю епоху зростає попит на пам’ять DRAM великої місткості.
Нова пам’ять DRAM від Samsung завдяки своїй високій місткості та швидкості сприятиме розвитку обчислень наступного покоління, центрів обробки даних та додатків ШІ. Оперативна пам’ять DDR5 об’ємом 32 ГБ прокладає шлях до модулів пам’яті об’ємом до 128 ГБ. Це буде важливо для високопродуктивних обчислень і обробки даних у майбутньому.
Висновок
Samsung Electronics випустила свою найбільшу за обсягом пам’ять 32 Гб DDR5 DRAM класу 12 нм, виготовлену за 12-нм технологічним процесом. Цей продукт пропонує вдвічі більшу місткість, ніж 16-гігабайтні модулі в тому ж розмірі. Нова пам’ять DRAM ідеально підходить для ери штучного інтелекту, де високопродуктивні обчислення та обробка даних є надзвичайно важливими. Вона спрощує виробничий процес і знижує витрати. Вона також орієнтована на центри обробки даних, штучний інтелект і нові обчислювальні програми. Нова пам’ять Samsung DRAM завдяки своїй високій місткості та швидкості сприятиме розвитку обчислень наступного покоління, центрів обробки даних і додатків штучного інтелекту, прокладаючи шлях до модулів пам’яті об’ємом до 128 ГБ.
